Міністерство освіти і науки України Національний університет "Львівська політехніка" Кафедра ПЗ Звіт про виконання лабораторної роботи № 6 з курсу: "Методи i засоби комп'ютерних інформаційних технологій" на тему: Аналіз процесів перемикання імпульсних напівпровідникових структур виконала: студентка гр. КН 3 Львів 2003Міністерство освіти і науки України Національний університет "Львівська політехніка" Кафедра ПЗ Звіт про виконання лабораторної роботи № 6 з курсу: "Методи i засоби комп'ютерних інформаційних технологій" на тему: Аналіз процесів перемикання імпульсних напівпровідникових структур виконав: студент гр. КН 37 Данчук Є.С. перевірив: викладач Заяць В.М Львів 2003 Тема: Аналіз процесів перемикання імпульсних напівпровідникових структур. Мета: Набути навиків роботи з моделями напівпровідникових структур програми PSpise та провести дослідження роботи транзистора при його переході від закритого стану до відкритого та в зворотньому напрямку. Теоретичні вiдомостi: Напiвпровiдниковi прилади, математичнi моделi яких вбудованi в програму PSpise описуються великою кiлькiстю параметрiв, якi визначаються за допомогою оператора . MODEL . Цей оператор може бути помiщений як в описi завдання так i в файл бiблiотеки, доступ до якого здiйснюється за допомогою оператора . LIB . Опис конкретного напiвпровiдникового приладу мiстить його iм'я, номер вузлiв пiдключення, iм'я моделi. В якостi моделi бiполярного транзистора в програмi PSpise використовується модель Еберса-Молла або Гумела-Пуна, яка має розширений список параметрiв. Приведемо список основних параметрiв математичної моделi Еберса-Молла: ________________________________________________________________ │Iм'я │ Параметр │Значен-│Одини-│ │пара- │ │по за- │цi ви-│ │метра │ │мовчу- │мiру- │ │ │ │ванню │вання │ │ │ │ │ │ │ IS │ Струм насичення при t=27C │10Е-16 │ А │ │ BF │ Максимальний коефiцiєнт пiдсилення │ 100 │ - │ │ │ му в схемi зi спiльним емiтером нор- │ │ │ │ │ мальному режимi │ │ │ │ BR │Максимальний коефiцiєнт пiдсилення стру-│ 1 │ - │ │ │ му в схемi зi спiльним емiтером в iн- │ │ │ │ │ версному режимi │ │ │ │ NF │ Коефiцiєнт неiдеальностi в нормальному │ 1 │ - │ │ │ режимi │ │ │ │ NR │ Коефiцiєнт неiдеальностi в iнверсному │ 0 │ - │ │ │ режимi │ │ │ │ ISS │ Зворотнiй струм p-n переходу пiдкладки │ 0 │ А │ │ NS │ Коефiцiєнт неiдеальностi переходу пiд- │ │ │ │ │ кладки │ 1 │ - │ │ RC │ Об'ємний опiр колектора │ 0 │ дм │ │ RE │ Об'ємний опiр емiтера │ 0 │ Ом │ │ RB │ Об'ємний опiр бази │ 0 │ Ом │ │ CJE │ Ємнiсть емiтерного переходу при нульо- │ 0 │ Ф │ │ │ вому │ │ │ │ VJE │ Контактна рiзниця потенцiалiв емiтер - │ 0.75 │ В │ │ │ ного переходу │ │ │ │ MJE │ Коефiцiєнт врахування плавностi │ 0.33 │ - │ │ │ емiтерного переходу │ │ │ │ CJC │ Ємнiсть колекторного переходу при │ 0 │ Ф │ │ │ нульовому змiщеннi │ │ │ │ VJC │ Контактна рiзниця потенцiалiв колектор-│ 0.75 │ В │ │ │ ного переходу │ │ │ │ MJC │ Коефiцiєнт врахування плавностi │ 0.33 │ - │ │ │ ко...